Dallas Semiconductor DS1220Y

20.-

29.05.2026

6102, Malters

Dallas Semiconductor DS1220Y:SpeicherspezifikationenSpeichertyp: NVRAM (Nonvolatile Static RAM / Nichtflüchtiger SRAM)Speicherkapazität: 16 Kilobit (kbit)Organisation: \(2\text{K} \times 8\) Bit (2.048 Bytes)Schreibzyklen: Unbegrenzt (keine Abnutzung wie bei EEPROM/Flash)Elektrische ParameterBetriebsspannung (\(V_{CC}\)): 5,0 V (Standardgerätespannung)Spannungstoleranz: \(\pm 10\%\) (voll funktionsfähig zwischen 4,5 V und 5,5 V)Stromaufnahme (aktiv): Max. 75 mAStromaufnahme (Standby): Max. 4 mABatterie-Umschaltpunkt (\(V_{TP}\)): Schaltet auf interne Batterie um, wenn \(V_{CC}\) unter ca. 4,25 V bis 4,5 V fällt.Timing-Eigenschaften (Zugriffszeit)Der exakte Wert hängt von der Suffix-Endung ab (z. B. DS1220Y-150 / DS1220Y-200):Zugriffszeit (Access Time): Typischerweise 150 ns oder 200 nsZykluszeit (Cycle Time): Identisch mit der ZugriffszeitPhysikalische EigenschaftenGehäuseform (Package): 24-Pin DIP / PDIP (Dual In-Line Package, Kunststoff)Gehäusetyp: Verkapseltes Modul (enthält den SRAM-Chip, die Steuerelektronik und die Lithium-Zelle)Abmessungen: Standard-Breite für 24-Pin-ICs (ca. 15,24 mm / 0,6 Zoll Reihenabstand)